Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.02A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції Si1078X-T1-GE3 за ціною від 5.74 грн до 29.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 240mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V |
на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 |
на замовлення 12174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.24W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.02A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.24W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A |
товару немає в наявності |