Продукція > VISHAY SILICONIX > Si1078X-T1-GE3
Si1078X-T1-GE3

Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1078x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 240mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V.

Інші пропозиції Si1078X-T1-GE3 за ціною від 5.50 грн до 29.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
Si1078X-T1-GE3 Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1078x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
16+19.70 грн
100+11.82 грн
500+10.27 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3 Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1078x.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.60 грн
16+20.43 грн
100+9.59 грн
500+9.30 грн
1000+7.89 грн
3000+5.57 грн
9000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3 si1078x.pdf
Si1078X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
16+19.70 грн
100+11.82 грн
500+10.27 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3 si1078x.pdf
Si1078X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.60 грн
16+20.43 грн
100+9.59 грн
500+9.30 грн
1000+7.89 грн
3000+5.57 грн
9000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.