на замовлення 6454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.19 грн |
| 100+ | 22.38 грн |
| 500+ | 14.61 грн |
| 1000+ | 10.96 грн |
| 3000+ | 7.11 грн |
| 9000+ | 6.97 грн |
| 24000+ | 6.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.02, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції Si1078X-T1-GE3 за ціною від 28.91 грн до 30.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||
 |
SI1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
Si1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
товар відсутній |
|||||||
|
|
Si1078X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
товар відсутній |