Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI1079X-T1-GE3
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si1079x.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 10489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+41.03 грн
13+25.45 грн
100+13.46 грн
500+10.57 грн
1000+9.52 грн
3000+8.95 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1079X-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI1079X-T1-GE3 за ціною від 8.72 грн до 32.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1079x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1079x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
13+24.59 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.51 грн
13+24.59 грн
100+14.75 грн
500+12.82 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.