на замовлення 42308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.2 грн |
| 15+ | 21.49 грн |
| 100+ | 14.71 грн |
| 500+ | 11.99 грн |
| 1000+ | 9.81 грн |
| 3000+ | 8.28 грн |
| 9000+ | 7.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1302DL-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1302DL-T1-BE3 за ціною від 14.65 грн до 32.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1302DL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI1302DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
товар відсутній |