Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1302DL-T1-BE3
SI1302DL-T1-BE3

SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1302dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.05 грн
11+29.52 грн
100+18.97 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1302DL-T1-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 VISHAY 3204795.pdf Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 Vishay si1302dl.pdf MOSFETs SC70 N CHAN 30V
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 3204795.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SC70 N CHAN 30V
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.