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Технічний опис SI1302DL-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.
Інші пропозиції SI1302DL-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI1302DL-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A |
на замовлення 46004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI1302DL-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI1302DL-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1302DL-T1-E3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
MOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
на замовлення 46004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1302DL-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1302DL-T1-E3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)