SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix


si1302dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.16 грн
6000+9.29 грн
9000+8.62 грн
30000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI1302DL-T1-E3 за ціною від 8.87 грн до 47.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1302DL-T1-E3 SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 61640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
13+24.81 грн
100+17.25 грн
500+12.64 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 SI1302DL-T1-E3 Vishay / Siliconix si1302dl.pdf MOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
на замовлення 46004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.66 грн
11+29.23 грн
100+16.27 грн
500+12.64 грн
1000+11.10 грн
3000+10.06 грн
6000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 si1302dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 61640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
13+24.81 грн
100+17.25 грн
500+12.64 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 si1302dl.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
на замовлення 46004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.66 грн
11+29.23 грн
100+16.27 грн
500+12.64 грн
1000+11.10 грн
3000+10.06 грн
6000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.