на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1302DL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1302DL-T1-GE3 за ціною від 8.13 грн до 40.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
на замовлення 29771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3 |
на замовлення 6282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI1302DL-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |