SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.71 грн |
| 6000+ | 9.65 грн |
| 15000+ | 8.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1302DL-T1-GE3 за ціною від 10.62 грн до 55.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
на замовлення 29771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W Polarisation: unipolar Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 1.4nC Power dissipation: 0.18W Drain current: 0.48A On-state resistance: 0.48Ω Pulsed drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1302DL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3 |
на замовлення 6282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1302DL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1027+ | 13.75 грн |
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 29771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.50 грн |
| 13+ | 25.00 грн |
| 100+ | 18.64 грн |
| 500+ | 13.74 грн |
| 1000+ | 10.62 грн |
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Polarisation: unipolar
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.18W
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Polarisation: unipolar
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.18W
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 34.24 грн |
| 16+ | 27.61 грн |
| 17+ | 25.10 грн |
| 100+ | 16.57 грн |
| 500+ | 11.80 грн |
| 1000+ | 10.96 грн |
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.60 грн |
| 20+ | 38.82 грн |
| 100+ | 26.38 грн |
| 500+ | 21.87 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
| 3000+ | 12.61 грн |
| 6000+ | 11.50 грн |
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1302DL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)