SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.64 грн |
| 6000+ | 7.28 грн |
| 9000+ | 6.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1308EDL-T1-BE3 за ціною від 6.77 грн до 39.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1308EDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
на замовлення 15301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC70 N CHAN 30V |
на замовлення 78793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI1308EDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
SI1308EDL-T1-BE3 |
товару немає в наявності |