SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.87 грн |
| 9000+ | 8.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm.
Інші пропозиції SI1308EDL-T1-GE3 за ціною від 9.01 грн до 46.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 5341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
на замовлення 126350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3 |
на замовлення 37275 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1308EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm |
на замовлення 8283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI1308EDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm |
на замовлення 8283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.24 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.64 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 5341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 20.98 грн |
| 50+ | 18.05 грн |
| 88+ | 11.10 грн |
| 240+ | 10.51 грн |
| 1500+ | 10.08 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 504+ | 29.06 грн |
| 599+ | 24.42 грн |
| 658+ | 22.24 грн |
| 1500+ | 17.50 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 126350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.55 грн |
| 12+ | 25.92 грн |
| 50+ | 18.86 грн |
| 100+ | 15.53 грн |
| 500+ | 11.72 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.68 грн |
| 15+ | 20.72 грн |
| 100+ | 15.84 грн |
| 500+ | 11.94 грн |
| 3000+ | 9.01 грн |
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1308EDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)