Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1308EDL-T1-GE3
SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1308edl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.82 грн
6000+7.75 грн
9000+7.36 грн
15000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI1308EDL-T1-GE3 за ціною від 6.68 грн до 45.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1308edl.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
на замовлення 21476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.49 грн
15+21.92 грн
100+11.11 грн
500+10.48 грн
1000+9.35 грн
3000+6.75 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
18+23.96 грн
25+19.30 грн
50+16.42 грн
100+13.97 грн
500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 27509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.83 грн
500+11.21 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 60913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.45 грн
50+28.06 грн
100+17.89 грн
500+12.49 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-3
на замовлення 21476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.49 грн
15+21.92 грн
100+11.11 грн
500+10.48 грн
1000+9.35 грн
3000+6.75 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.29 грн
18+23.96 грн
25+19.30 грн
50+16.42 грн
100+13.97 грн
500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 27509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.83 грн
500+11.21 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 60913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+45.45 грн
50+28.06 грн
100+17.89 грн
500+12.49 грн
1500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.