на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.41 грн |
| 13+ | 25.55 грн |
| 100+ | 15.15 грн |
| 1000+ | 8.48 грн |
| 3000+ | 7.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1317DL-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1317DL-T1-BE3 за ціною від 17.53 грн до 33.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel 20 V MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||
| SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||
| SI1317DL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 |
товар відсутній |