Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1317DL-T1-BE3
SI1317DL-T1-BE3

SI1317DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1317dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1317DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SI1317DL-T1-BE3 за ціною від 7.61 грн до 45.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1317DL-T1-BE3 SI1317DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1317dl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.40 грн
14+21.47 грн
100+14.53 грн
500+11.09 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 SI1317DL-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1317dl.pdf MOSFETs SOT323 P-CH 20V 1.4A
на замовлення 89720 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+45.48 грн
15+20.18 грн
100+15.43 грн
500+11.63 грн
1000+11.34 грн
3000+8.70 грн
6000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 SI1317DL-T1-BE3 VISHAY 3204804.pdf Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 si1317dl.pdf
SI1317DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.40 грн
14+21.47 грн
100+14.53 грн
500+11.09 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 si1317dl.pdf
SI1317DL-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT323 P-CH 20V 1.4A
на замовлення 89720 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.48 грн
15+20.18 грн
100+15.43 грн
500+11.63 грн
1000+11.34 грн
3000+8.70 грн
6000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-BE3 3204804.pdf
SI1317DL-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.