Продукція > VISHAY > SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3

SI1317DL-T1-GE3 Vishay

si1317dl.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1317DL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1317DL-T1-GE3 за ціною від 6.74 грн до 42.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1317dl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.68 грн
6000+7.94 грн
9000+7.52 грн
15000+6.95 грн
21000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 33885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.56 грн
500+12.93 грн
1000+8.86 грн
3000+8.72 грн
6000+8.51 грн
12000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 34825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.63 грн
50+22.22 грн
100+14.73 грн
500+9.22 грн
1500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1317dl.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-3
на замовлення 95327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
14+25.45 грн
100+11.90 грн
1000+10.01 грн
3000+7.69 грн
9000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1317dl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 24296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
12+25.70 грн
100+13.14 грн
500+11.52 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.07 грн
99+10.70 грн
272+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1317dl.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1317dl.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.