Продукція > VISHAY > SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3

SI1317DL-T1-GE3 Vishay

si1317dl.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1317DL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1317DL-T1-GE3 за ціною від 6.81 грн до 42.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1317dl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.78 грн
6000+8.03 грн
9000+7.61 грн
15000+7.03 грн
21000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 33885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.77 грн
500+13.07 грн
1000+8.96 грн
3000+8.82 грн
6000+8.61 грн
12000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Description: VISHAY - SI1317DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.125 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 34825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.97 грн
50+22.48 грн
100+14.90 грн
500+9.33 грн
1500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
19+21.02 грн
30+13.15 грн
99+9.33 грн
272+8.79 грн
500+8.72 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A; 0.3W; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
11+26.20 грн
25+15.78 грн
99+11.19 грн
272+10.55 грн
500+10.46 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1317dl.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-3
на замовлення 95327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.90 грн
14+25.74 грн
100+12.04 грн
1000+10.13 грн
3000+7.78 грн
9000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1317dl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V
на замовлення 24296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
12+25.99 грн
100+13.29 грн
500+11.65 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1317dl.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 SI1317DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1317dl.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.