SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 33.96 грн |
| 100+ | 21.93 грн |
| 500+ | 15.71 грн |
| 1000+ | 14.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1330EDL-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1330EDL-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC70 N CHAN 60V |
на замовлення 32017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1330EDL-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC70 N CHAN 60V
MOSFETs SC70 N CHAN 60V
на замовлення 32017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)