Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1330EDL-T1-E3
SI1330EDL-T1-E3

SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix

SI1330ED.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.80 грн
6000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1330EDL-T1-E3 за ціною від 9.92 грн до 57.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Vishay Semiconductors SI1330ED.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.54 грн
10+36.70 грн
100+20.60 грн
500+15.78 грн
1000+14.24 грн
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1330ED.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 25734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.03 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.54 грн
10+36.70 грн
100+20.60 грн
500+15.78 грн
1000+14.24 грн
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 25734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.03 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.