SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 21968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.59 грн |
| 10+ | 33.93 грн |
| 100+ | 22.02 грн |
| 500+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 13.36 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
| 9000+ | 10.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1330EDL-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|
| SI1330EDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |