SI1330EDL-T1-GE3

SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors


si1330ed.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 21968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.59 грн
10+33.93 грн
100+22.02 грн
500+17.32 грн
1000+13.36 грн
3000+11.23 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V, Power Dissipation (Max): 280mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1330EDL-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1330EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1330ed.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1330ed.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1330ed.pdf SI1330EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1330ed.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-GE3 SI1330EDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1330ed.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.