SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1401EDH-T1-BE3 за ціною від 7.4 грн до 30.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 12V P-CHANNEL (D-S) |
на замовлення 6647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|