Продукція > VISHAY > SI1401EDH-T1-BE3

SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY


3204798.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+40.73 грн
31+26.88 грн
50+22.97 грн
100+17.85 грн
250+15.01 грн
500+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1401EDH-T1-BE3 за ціною від 9.29 грн до 49.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.49 грн
11+29.65 грн
100+18.99 грн
500+13.51 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1401edh.pdf MOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A
на замовлення 53936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
11+30.19 грн
100+16.90 грн
500+12.85 грн
1000+11.52 грн
3000+10.96 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 si1401edh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.49 грн
11+29.65 грн
100+18.99 грн
500+13.51 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 si1401edh.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A
на замовлення 53936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.78 грн
11+30.19 грн
100+16.90 грн
500+12.85 грн
1000+11.52 грн
3000+10.96 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.