SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.03 грн |
| 49+ | 16.84 грн |
| 100+ | 15.03 грн |
| 250+ | 13.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1401EDH-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1401EDH-T1-BE3 за ціною від 9.27 грн до 49.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A |
на замовлення 53936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1401EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
товару немає в наявності |