Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1401EDH-T1-GE3
SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1401edh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.25 грн
6000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

Інші пропозиції SI1401EDH-T1-GE3 за ціною від 12.71 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.40 грн
10+30.88 грн
100+19.84 грн
500+14.15 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1401edh.pdf MOSFETs -12V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.40 грн
10+30.88 грн
100+19.84 грн
500+14.15 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 VISH-S-A0001142593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1401EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 21865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.