SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.58 грн |
| 6000+ | 10.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1403BDL-T1-BE3 за ціною від 9.35 грн до 39.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1403BDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 568mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1403BDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET 2.5V P-CHANNEL (G-S) |
на замовлення 59665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1403BDL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 568mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1403BDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
P-Channel MOSFET |
товар відсутній |