Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1403BDL-T1-BE3
SI1403BDL-T1-BE3

SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1403bdl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.98 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1403BDL-T1-BE3 за ціною від 10.01 грн до 54.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 VISHAY 3204794.pdf Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.08 грн
25+35.19 грн
50+30.59 грн
100+23.98 грн
250+19.81 грн
500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay si1403bdl.pdf MOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
на замовлення 29645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.69 грн
11+31.29 грн
100+18.61 грн
500+15.72 грн
1000+12.90 грн
3000+10.50 грн
9000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+32.83 грн
100+21.20 грн
500+15.18 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 3204794.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+44.08 грн
25+35.19 грн
50+30.59 грн
100+23.98 грн
250+19.81 грн
500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
на замовлення 29645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.69 грн
11+31.29 грн
100+18.61 грн
500+15.72 грн
1000+12.90 грн
3000+10.50 грн
9000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.71 грн
10+32.83 грн
100+21.20 грн
500+15.18 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.