на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1403BDL-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 568mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1403BDL-T1-E3 за ціною від 10.33 грн до 57.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1403BDL-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70 |
на замовлення 34714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1403BDL-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 568mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 4297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI1403BDL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI1403BDL-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 568mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI1403BDL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A |
товару немає в наявності |