Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1403BDL-T1-E3
SI1403BDL-T1-E3

SI1403BDL-T1-E3 Vishay Siliconix

si1403bdl.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.91 грн
10+31.71 грн
100+20.47 грн
500+14.66 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1403BDL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 568mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1403BDL-T1-E3 за ціною від 10.60 грн до 55.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si1403bdl.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
на замовлення 32996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.61 грн
10+34.23 грн
100+19.66 грн
500+15.37 грн
1000+13.13 грн
3000+11.86 грн
6000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.