SI1403BDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.74 грн |
| 10+ | 37.32 грн |
| 100+ | 21.31 грн |
| 500+ | 16.38 грн |
| 1000+ | 15.01 грн |
| 3000+ | 12.06 грн |
| 9000+ | 11.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1403BDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1403BDL-T1-GE3 за ціною від 13.61 грн до 54.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1403BDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1403BDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI1403BDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5A Drain current: -1.5A Gate charge: 4.5nC On-state resistance: 265mΩ Power dissipation: 0.625W Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI1403BDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI1403BDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5A Drain current: -1.5A Gate charge: 4.5nC On-state resistance: 265mΩ Power dissipation: 0.625W Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |