SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363, Case: SC70-6; SOT363, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.6A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 4nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI1403CDL-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товару немає в наявності |
|
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
товару немає в наявності |
|
| SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363 Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |