Технічний опис SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363, Case: SC70-6; SOT363, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.6A, Gate charge: 4nC, On-state resistance: 0.14Ω, Power dissipation: 0.6W, Gate-source voltage: ±12V.
Інші пропозиції SI1403CDL-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товару немає в наявності |
|
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
товару немає в наявності |
|
| SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363 Case: SC70-6; SOT363 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Gate charge: 4nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |