SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6, Case: SC70-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.6A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI1403CDL-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товар відсутній |
||
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товар відсутній |
||
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
товар відсутній |
||
SI1403CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6 Case: SC70-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |