Технічний опис SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 2.1, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 900, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung: 900, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SI1403CDL-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1403CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363 Case: SC70-6; SOT363 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Gate charge: 4nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2.1 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 Verlustleistung: 900 Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: E Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1403CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI1403CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI1403CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI1403CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.