Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI1411DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6024669-3
Price: 74790.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI1411DH-T1-GE3 за ціною від 23.07 грн до 97.64 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI1411DH-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001860986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.99 грн
500+	27.50 грн
1000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.07 грн
15+	57.60 грн
100+	37.99 грн
500+	27.50 грн
1000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.31 грн
10+	58.89 грн
100+	38.88 грн
500+	28.42 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6

на замовлення 12187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.64 грн
10+	60.33 грн
100+	34.74 грн
500+	27.01 грн
1000+	24.54 грн
3000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	37.99 грн
500+	27.50 грн
1000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	91.07 грн
15+	57.60 грн
100+	37.99 грн
500+	27.50 грн
1000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.31 грн
10+	58.89 грн
100+	38.88 грн
500+	28.42 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI1411DH-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6

на замовлення 12187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.64 грн
10+	60.33 грн
100+	34.74 грн
500+	27.01 грн
1000+	24.54 грн
3000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.