SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1411dh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1411DH-T1-GE3 за ціною від 22.06 грн до 100.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1411dh.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 19252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.58 грн
10+42.29 грн
100+29.72 грн
500+27.14 грн
1000+25.48 грн
3000+23.51 грн
6000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001860986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.68 грн
500+33.41 грн
1000+29.75 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001860986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.45 грн
15+59.46 грн
100+45.68 грн
500+33.41 грн
1000+29.75 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1411dh.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.89 грн
10+61.05 грн
100+40.30 грн
500+29.46 грн
1000+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Виробник : Vishay si1411dh.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.