Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1416EDH-T1-BE3
SI1416EDH-T1-BE3

SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1416ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70, tariffCode: 85364190, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1416EDH-T1-BE3 за ціною від 7.40 грн до 48.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1416ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
12+26.65 грн
100+13.12 грн
500+11.70 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1416ed.pdf MOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
на замовлення 35233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.57 грн
12+27.23 грн
100+15.15 грн
500+11.49 грн
1000+10.22 грн
3000+7.54 грн
6000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 SI1416EDH-T1-BE3 VISHAY 3204805.pdf Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.52 грн
28+30.01 грн
50+24.67 грн
100+17.87 грн
250+14.45 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 si1416ed.pdf
SI1416EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.10 грн
12+26.65 грн
100+13.12 грн
500+11.70 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 si1416ed.pdf
SI1416EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
на замовлення 35233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.57 грн
12+27.23 грн
100+15.15 грн
500+11.49 грн
1000+10.22 грн
3000+7.54 грн
6000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3 3204805.pdf
SI1416EDH-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+48.52 грн
28+30.01 грн
50+24.67 грн
100+17.87 грн
250+14.45 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.