на замовлення 27535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.91 грн |
| 13+ | 24.46 грн |
| 100+ | 12.18 грн |
| 1000+ | 8.35 грн |
| 3000+ | 8.28 грн |
| 9000+ | 7.88 грн |
| 24000+ | 7.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1416EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 3.9, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 2.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4, Verlustleistung: 2.8, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI1416EDH-T1-BE3 за ціною від 12.75 грн до 35.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1416EDH-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.9 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 Verlustleistung: 2.8 Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1416EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI1416EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V |
товар відсутній |