SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1416ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 86500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.52 грн
6000+9.25 грн
9000+8.81 грн
15000+7.79 грн
21000+7.51 грн
30000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI1416EDH-T1-GE3 за ціною від 8.59 грн до 48.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1416ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 86677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.35 грн
12+27.31 грн
100+17.49 грн
500+12.43 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1416ed.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 518674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.31 грн
11+29.39 грн
100+16.34 грн
500+12.36 грн
1000+11.10 грн
3000+9.43 грн
6000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 86677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.35 грн
12+27.31 грн
100+17.49 грн
500+12.43 грн
1000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 518674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.31 грн
11+29.39 грн
100+16.34 грн
500+12.36 грн
1000+11.10 грн
3000+9.43 грн
6000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.