Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1427EDH-T1-BE3
SI1427EDH-T1-BE3

SI1427EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1427ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.21 грн
13+24.20 грн
100+15.38 грн
500+10.87 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1427EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI1427EDH-T1-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1427EDH-T1-BE3 SI1427EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1427ed.pdf MOSFETs SOT363 P CHAN 20V
на замовлення 101991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.