на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1427EDH-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V.
Інші пропозиції SI1427EDH-T1-GE3 за ціною від 7.47 грн до 40.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 52665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
на замовлення 5726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |