SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1427ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1427EDH-T1-GE3 за ціною від 7.61 грн до 44.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1427ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
13+24.59 грн
100+15.63 грн
500+11.04 грн
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1427ed.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.81 грн
12+27.38 грн
100+15.22 грн
500+11.52 грн
1000+10.33 грн
3000+8.52 грн
6000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
13+24.59 грн
100+15.63 грн
500+11.04 грн
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.81 грн
12+27.38 грн
100+15.22 грн
500+11.52 грн
1000+10.33 грн
3000+8.52 грн
6000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.