на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1427EDH-T1-GE3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -2A, Pulsed drain current: -8A, Power dissipation: 1.8W, Case: SC70, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 64mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI1427EDH-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 |
товар відсутній |
|
|
|
SI1427EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |