SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.64 грн |
| 20+ | 15.13 грн |
| 100+ | 9.16 грн |
| 500+ | 8.19 грн |
| 1000+ | 7.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1442DH-T1-GE3 за ціною від 7.05 грн до 40.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1442DH-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W Polarisation: unipolar Case: SC70-6; SOT363 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 33nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 2.8W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 20A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 141967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI1442DH-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.30 грн |
| 25+ | 17.48 грн |
| 28+ | 15.55 грн |
| 100+ | 11.35 грн |
| 500+ | 9.16 грн |
| 1000+ | 8.41 грн |
| SI1442DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 141967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.65 грн |
| 14+ | 24.65 грн |
| 100+ | 13.69 грн |
| 500+ | 10.26 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| 3000+ | 7.75 грн |
| 6000+ | 7.05 грн |