SI1442DH-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.017 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.40 грн |
| 500+ | 8.58 грн |
| 1000+ | 6.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1442DH-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.017 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1442DH-T1-GE3 за ціною від 5.74 грн до 26.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 12V Drain current: 4A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SC70-6; SOT363 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.017 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 12V Drain current: 4A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SC70-6; SOT363 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 194865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI1442DH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |