на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1443EDH-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1443EDH-T1-GE3 за ціною від 7.71 грн до 47.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 35520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SC70 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70; ESD Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 28nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -15A Mounting: SMD Case: SC70 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 35520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V |
на замовлення 37506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1443EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6 |
на замовлення 16882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|