SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1443edh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.32 грн
6000+10.86 грн
9000+10.35 грн
15000+9.18 грн
21000+8.86 грн
30000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI1443EDH-T1-GE3 за ціною від 10.06 грн до 54.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1443edh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 37573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.63 грн
10+31.39 грн
100+20.24 грн
500+14.46 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1443edh.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.66 грн
10+33.49 грн
100+18.78 грн
500+14.31 грн
1000+12.85 грн
3000+10.96 грн
6000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 37573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+52.63 грн
10+31.39 грн
100+20.24 грн
500+14.46 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.66 грн
10+33.49 грн
100+18.78 грн
500+14.31 грн
1000+12.85 грн
3000+10.96 грн
6000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.