на замовлення 61623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.21 грн |
| 100+ | 24.53 грн |
| 500+ | 20.32 грн |
| 1000+ | 18.58 грн |
| 3000+ | 15.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1467DH-T1-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI1467DH-T1-BE3 за ціною від 20.09 грн до 77.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1467DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1467DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |