Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1467DH-T1-GE3
SI1467DH-T1-GE3

SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1467dh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+47.51 грн
100+31.07 грн
500+22.51 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI1467DH-T1-GE3 за ціною від 15.52 грн до 84.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1467dh.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.80 грн
10+52.28 грн
100+29.80 грн
500+23.03 грн
1000+20.82 грн
3000+18.39 грн
6000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1467dh.pdf SI1467DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.