SI1469DH-T1-BE3

SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix


si1469dh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.99 грн
10+ 31.68 грн
100+ 21.9 грн
500+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI1469DH-T1-BE3 за ціною від 13.38 грн до 41.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1469DH-T1-BE3 SI1469DH-T1-BE3 Виробник : Vishay si1469dh.pdf MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 11366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.67 грн
10+ 35.58 грн
100+ 21.47 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 15.24 грн
3000+ 14.05 грн
6000+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1469DH-T1-BE3 SI1469DH-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
товар відсутній