Продукція > VISHAY > SI1469DH-T1-BE3

SI1469DH-T1-BE3 Vishay


si1469dh.pdf
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
на замовлення 39107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.52 грн
15+21.92 грн
100+18.36 грн
500+17.95 грн
1000+16.97 грн
3000+13.20 грн
6000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1469DH-T1-BE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції SI1469DH-T1-BE3 за ціною від 17.98 грн до 51.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1469DH-T1-BE3 SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.06 грн
10+34.57 грн
100+25.62 грн
500+20.77 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-BE3 si1469dh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.06 грн
10+34.57 грн
100+25.62 грн
500+20.77 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.