SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.83 грн |
| 10+ | 34.42 грн |
| 100+ | 25.51 грн |
| 500+ | 20.67 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції SI1469DH-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1469DH-T1-BE3 | Vishay |
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A |
на замовлення 39107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1469DH-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
на замовлення 39107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)