Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1469DH-T1-E3
SI1469DH-T1-E3

SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix

si1469dh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.04 грн
6000+ 13.72 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI1469DH-T1-E3 за ціною від 15.26 грн до 43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 17553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.01 грн
10+ 33.03 грн
100+ 22.86 грн
500+ 17.93 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si1469dh.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43 грн
10+ 37.6 грн
100+ 22.33 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si1469dh-280078.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI1469DH-T1-E3 Виробник : VISHAY si1469dh.pdf SI1469DH-T1-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній