Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1469DH-T1-E3
SI1469DH-T1-E3

SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix

si1469dh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.68 грн
6000+16.05 грн
9000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI1469DH-T1-E3 за ціною від 15.50 грн до 67.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Vishay si1469dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Vishay si1469dh.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.49 грн
15+52.01 грн
25+51.01 грн
100+39.02 грн
250+35.31 грн
500+26.95 грн
1000+21.06 грн
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Vishay Semiconductors si1469dh.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+58.36 грн
10+46.85 грн
100+27.13 грн
500+21.50 грн
1000+19.09 грн
3000+16.24 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.10 грн
10+41.67 грн
100+27.92 грн
500+20.89 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 SI1469DH-T1-E3 Vishay / Siliconix si1469dh-280078.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.49 грн
15+52.01 грн
25+51.01 грн
100+39.02 грн
250+35.31 грн
500+26.95 грн
1000+21.06 грн
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.36 грн
10+46.85 грн
100+27.13 грн
500+21.50 грн
1000+19.09 грн
3000+16.24 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.10 грн
10+41.67 грн
100+27.92 грн
500+20.89 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-E3 si1469dh-280078.pdf
SI1469DH-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.