SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.00 грн |
| 6000+ | 16.27 грн |
| 9000+ | 15.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1469DH-T1-GE3 за ціною від 14.04 грн до 60.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
на замовлення 8509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V |
на замовлення 14210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1469DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1469DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 8509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.82 грн |
| 10+ | 38.63 грн |
| 100+ | 23.11 грн |
| 500+ | 19.34 грн |
| 1000+ | 16.76 грн |
| 3000+ | 15.15 грн |
| 6000+ | 14.04 грн |
| SI1469DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.49 грн |
| 10+ | 38.43 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| 500+ | 20.84 грн |
| 1000+ | 18.05 грн |
| SI1469DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)