SI1480BDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.8 mohm a. 10V 1.7 mohm a. 7.5V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.77 грн |
| 13+ | 27.60 грн |
| 100+ | 17.91 грн |
| 500+ | 14.09 грн |
| 1000+ | 10.86 грн |
| 3000+ | 9.91 грн |
| 9000+ | 8.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1480BDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI1480BDH-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI1480BDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
|
|
SI1480BDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI1480BDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 212mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |