Продукція > VISHAY > SI1480DH-T1-BE3
SI1480DH-T1-BE3

SI1480DH-T1-BE3 Vishay

si1480dh.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.08 грн
6000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1480DH-T1-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI1480DH-T1-BE3 за ціною від 11.61 грн до 34.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.73 грн
18+17.67 грн
100+15.71 грн
500+14.68 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si1480dh.pdf MOSFETs SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET
на замовлення 80736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.64 грн
13+26.70 грн
100+18.90 грн
500+16.45 грн
1000+13.39 грн
3000+12.13 грн
6000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.