Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1480DH-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції SI1480DH-T1-GE3 за ціною від 13.09 грн до 45.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1480DH-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6 |
на замовлення 5448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.57 грн |
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.13 грн |
| 6000+ | 13.36 грн |
| 9000+ | 13.18 грн |
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 21.20 грн |
| 39+ | 19.68 грн |
| 40+ | 19.06 грн |
| 100+ | 16.61 грн |
| 250+ | 15.22 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 13.09 грн |
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.41 грн |
| 10+ | 30.83 грн |
| 100+ | 19.89 грн |
| 500+ | 14.23 грн |
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1480DH-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)