на замовлення 60812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 37.41 грн |
10+ | 33.22 грн |
100+ | 21.93 грн |
500+ | 19.41 грн |
1000+ | 16.96 грн |
3000+ | 14.51 грн |
6000+ | 14.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1499DH-T1-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V.
Інші пропозиції SI1499DH-T1-BE3 за ціною від 16.43 грн до 42.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI1499DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V |
на замовлення 2798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI1499DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V |
товар відсутній |