SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.14 грн |
| 10+ | 38.78 грн |
| 100+ | 26.86 грн |
| 500+ | 21.07 грн |
| 1000+ | 17.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V.
Інші пропозиції SI1499DH-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1499DH-T1-BE3 | Vishay |
MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V |
на замовлення 30812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1499DH-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V
MOSFETs SC70 P CHAN 1.2V
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)