SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.69 грн |
| 14+ | 24.35 грн |
| 100+ | 15.51 грн |
| 500+ | 10.96 грн |
| 1000+ | 9.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 30V, 0.7A, SOT-363, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N and P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1539CDL-T1-BE3 за ціною від 6.72 грн до 47.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1539CDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC70 DUAL CHAN 30V |
на замовлення 56568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1539CDL-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 30V, 0.7A, SOT-363 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N and P Channel Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1539CDL-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
товару немає в наявності |