Технічний опис SI1553CDL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI1553CDL-T1-GE3 за ціною від 7.77 грн до 48.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 340mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 340mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 39529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.7/-0.5A Power dissipation: 0.34W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.35/1.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 3/1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR |
на замовлення 24773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.26 грн |
| 6000+ | 9.91 грн |
| 9000+ | 9.44 грн |
| 15000+ | 8.35 грн |
| 21000+ | 8.06 грн |
| 30000+ | 7.77 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.24 грн |
| 6000+ | 14.85 грн |
| 12000+ | 13.81 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.73 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 420+ | 33.65 грн |
| 680+ | 20.78 грн |
| 686+ | 20.58 грн |
| 734+ | 18.55 грн |
| 1380+ | 9.13 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 42.91 грн |
| 23+ | 33.99 грн |
| 25+ | 33.65 грн |
| 100+ | 20.04 грн |
| 250+ | 18.37 грн |
| 500+ | 16.49 грн |
| 1000+ | 8.77 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.49 грн |
| 11+ | 29.15 грн |
| 100+ | 18.66 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 11.91 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.7/-0.5A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 0.7/-0.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.7/-0.5A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.35/1.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3/1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 48.66 грн |
| 13+ | 32.38 грн |
| 50+ | 22.09 грн |
| 100+ | 18.74 грн |
| 500+ | 13.47 грн |
| 1000+ | 11.97 грн |
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
на замовлення 24773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1553CDL-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)