SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1553cdl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI1553CDL-T1-GE3 за ціною від 9.01 грн до 50.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.56 грн
12+27.31 грн
100+14.76 грн
500+12.39 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1553cdl.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
на замовлення 29787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.78 грн
11+30.43 грн
100+16.97 грн
500+12.92 грн
1000+11.59 грн
3000+9.85 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011679627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.75 грн
50+31.53 грн
100+20.20 грн
500+14.30 грн
1500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 340mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.56 грн
12+27.31 грн
100+14.76 грн
500+12.39 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
на замовлення 29787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.78 грн
11+30.43 грн
100+16.97 грн
500+12.92 грн
1000+11.59 грн
3000+9.85 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 VISH-S-A0011679627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.75 грн
50+31.53 грн
100+20.20 грн
500+14.30 грн
1500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.