на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.05 грн |
| 9000+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1553CDL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI1553CDL-T1-GE3 за ціною від 8.05 грн до 51.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR |
на замовлення 36578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
на замовлення 5048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1553CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.325ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |