SI1869DH-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1869DH-T1-BE3 - MOSFET, N & P-CH, 20V, 1.2A, SC-70, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.132ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.132ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Complementary N and P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).