SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.91 грн |
| 6000+ | 11.8 грн |
| 9000+ | 10.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.
Інші пропозиції SI1900DL-T1-E3 за ціною від 10.95 грн до 39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1900DL-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI1900DL |
на замовлення 41147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1900DL-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 28730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |