Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix

si1900dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.05 грн
6000+12.84 грн
9000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 270mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V.

Інші пропозиції SI1900DL-T1-E3 за ціною від 10.19 грн до 42.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Vishay Semiconductors si1900dl.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.30 грн
12+27.70 грн
100+17.32 грн
500+14.04 грн
1000+13.34 грн
3000+10.54 грн
6000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1900dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.42 грн
10+34.27 грн
100+23.84 грн
500+17.47 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 VISHAY si1900dl.pdf SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
SI1900DL-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.30 грн
12+27.70 грн
100+17.32 грн
500+14.04 грн
1000+13.34 грн
3000+10.54 грн
6000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
SI1900DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.42 грн
10+34.27 грн
100+23.84 грн
500+17.47 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: VISHAY
SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.