SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix


si1900dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.16 грн
6000+12.94 грн
9000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1900DL-T1-E3 за ціною від 10.96 грн до 44.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1900dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.76 грн
10+34.54 грн
100+24.03 грн
500+17.61 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Vishay Semiconductors si1900dl.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+44.41 грн
11+29.79 грн
100+18.62 грн
500+15.09 грн
1000+14.34 грн
3000+11.34 грн
6000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.76 грн
10+34.54 грн
100+24.03 грн
500+17.61 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 si1900dl.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.41 грн
11+29.79 грн
100+18.62 грн
500+15.09 грн
1000+14.34 грн
3000+11.34 грн
6000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.