SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.99 грн |
| 6000+ | 12.78 грн |
| 9000+ | 11.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 270mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V.
Інші пропозиції SI1900DL-T1-E3 за ціною від 14.14 грн до 42.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1900DL-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6 Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 270mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 28730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1900DL-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19 |
на замовлення 26992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | VISHAY |
SOT363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1900DL-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.23 грн |
| 10+ | 34.12 грн |
| 100+ | 23.74 грн |
| 500+ | 17.39 грн |
| 1000+ | 14.14 грн |
| SI1900DL-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 26992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1900DL-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
SOT363
SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)