Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix

si1900dl.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.20 грн
6000+12.98 грн
9000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1900DL-T1-E3 за ціною від 11.82 грн до 43.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1900dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 28730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
10+34.63 грн
100+24.10 грн
500+17.66 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si1900dl.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
на замовлення 39282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.15 грн
12+29.62 грн
100+18.86 грн
500+15.63 грн
1000+14.16 грн
3000+12.04 грн
9000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1900dl.pdf 09+
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1900dl.pdf SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1900DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1900dl.pdf SI1900DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.