Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1902CDL-T1-BE3
SI1902CDL-T1-BE3

SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1902cdl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1902CDL-T1-BE3 за ціною від 7.19 грн до 45.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.20 грн
100+14.04 грн
500+11.28 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1902cdl.pdf MOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.92 грн
13+25.94 грн
100+14.38 грн
500+10.85 грн
1000+9.23 грн
3000+7.68 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 VISHAY 3204801.pdf Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.23 грн
29+29.19 грн
50+23.93 грн
100+17.33 грн
250+14.03 грн
500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
13+24.20 грн
100+14.04 грн
500+11.28 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.92 грн
13+25.94 грн
100+14.38 грн
500+10.85 грн
1000+9.23 грн
3000+7.68 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 3204801.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+45.23 грн
29+29.19 грн
50+23.93 грн
100+17.33 грн
250+14.03 грн
500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.