Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1902CDL-T1-BE3
SI1902CDL-T1-BE3

SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1902cdl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SI1902CDL-T1-BE3 за ціною від 7.46 грн до 44.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
13+23.55 грн
100+13.66 грн
500+10.97 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1902cdl.pdf MOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.54 грн
12+26.91 грн
100+14.92 грн
500+11.26 грн
1000+9.58 грн
3000+7.97 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 VISHAY 3204801.pdf Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.88 грн
13+23.55 грн
100+13.66 грн
500+10.97 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 41019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.54 грн
12+26.91 грн
100+14.92 грн
500+11.26 грн
1000+9.58 грн
3000+7.97 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 3204801.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.