Продукція > VISHAY > SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3 Vishay


si1902cdl.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.1A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902CDL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1902CDL-T1-GE3 за ціною від 6.68 грн до 35.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+7.81 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1902cdl.pdf Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.20 грн
500+9.63 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
22+17.51 грн
100+9.63 грн
104+8.87 грн
286+8.33 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 9757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+25.84 грн
100+16.49 грн
500+11.67 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.59 грн
14+21.82 грн
100+11.56 грн
104+10.64 грн
286+10.00 грн
1000+9.91 грн
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013953768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.76 грн
40+20.99 грн
100+13.42 грн
500+11.24 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1902cdl.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 87175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+21.44 грн
100+11.89 грн
1000+9.47 грн
3000+7.19 грн
9000+6.75 грн
24000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.