на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1902CDL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1902CDL-T1-GE3 за ціною від 7.17 грн до 34.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm Verlustleistung, p-Kanal: 420mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.235Ω Gate charge: 2nC Drain current: 0.9A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.235Ω Gate charge: 2nC Drain current: 0.9A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
на замовлення 30340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 9757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm Verlustleistung, p-Kanal: 420mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|