| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.92 грн |
| 10+ | 32.98 грн |
| 100+ | 19.52 грн |
| 500+ | 16.59 грн |
| 1000+ | 13.59 грн |
| 3000+ | 11.86 грн |
| 9000+ | 10.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1902DL-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70, tariffCode: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1902DL-T1-BE3 за ціною від 14.21 грн до 57.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1902DL-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1902DL-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70 tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1902DL-T1-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.01 грн |
| 10+ | 34.16 грн |
| 100+ | 22.06 грн |
| 500+ | 15.80 грн |
| 1000+ | 14.21 грн |
| SI1902DL-T1-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)