Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix

si1902dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.87 грн
6000+12.25 грн
9000+11.69 грн
15000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 270mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1902DL-T1-E3 за ціною від 8.97 грн до 58.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si1902dl.pdf MOSFETs 20V 0.70A
на замовлення 286778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
15+21.59 грн
100+14.81 грн
500+12.59 грн
1000+10.50 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1902dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.67 грн
10+35.11 грн
100+22.65 грн
500+16.22 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1902dl.pdf Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1902dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.