SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.77 грн |
| 6000+ | 12.16 грн |
| 9000+ | 11.60 грн |
| 15000+ | 10.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 270mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1902DL-T1-E3 за ціною від 8.91 грн до 58.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1902DL-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 0.70A |
на замовлення 286778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI1902DL-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 270mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 17942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI1902DL-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 0.70A
MOSFETs 20V 0.70A
на замовлення 286778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.10 грн |
| 15+ | 21.44 грн |
| 100+ | 14.70 грн |
| 500+ | 12.50 грн |
| 1000+ | 10.42 грн |
| 6000+ | 8.91 грн |
| SI1902DL-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.25 грн |
| 10+ | 34.85 грн |
| 100+ | 22.48 грн |
| 500+ | 16.10 грн |
| 1000+ | 14.49 грн |



