Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1902dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
9000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI1902DL-T1-GE3 за ціною від 10.59 грн до 58.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay si1902dl.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay si1902dl.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.59 грн
10+35.30 грн
100+22.76 грн
500+16.30 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1902dl.pdf MOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+58.77 грн
10+36.09 грн
100+20.27 грн
500+15.47 грн
1000+14.19 грн
6000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.59 грн
10+35.30 грн
100+22.76 грн
500+16.30 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.77 грн
10+36.09 грн
100+20.27 грн
500+15.47 грн
1000+14.19 грн
6000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.