Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1902dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.95 грн
6000+12.32 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 270mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1902DL-T1-GE3 за ціною від 9.94 грн до 58.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1902dl.pdf MOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+33.88 грн
100+19.03 грн
500+14.52 грн
1000+13.32 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.68 грн
10+35.35 грн
100+22.79 грн
500+16.32 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V .66A .27W
на замовлення 76473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+33.88 грн
100+19.03 грн
500+14.52 грн
1000+13.32 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.68 грн
10+35.35 грн
100+22.79 грн
500+16.32 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.