Продукція > VISHAY > SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1905DL-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1905DL-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI1905DL-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1905DL-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1905DL-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1905DL-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1905DL-T1-E3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.