SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1922EDH-T1-BE3 за ціною від 8.64 грн до 51.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1922EDH-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT363 2NCH 20V 1.3A |
на замовлення 8363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|