на замовлення 42000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.22 грн |
| 13+ | 24.54 грн |
| 100+ | 14.81 грн |
| 500+ | 12.05 грн |
| 1000+ | 10.03 грн |
| 3000+ | 9.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1922EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 1.3, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI1922EDH-T1-BE3 за ціною від 13.59 грн до 31.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1922EDH-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.3 Verlustleistung Pd: 1.25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|