на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1922EDH-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1922EDH-T1-GE3 за ціною від 8.13 грн до 49.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 17175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 17175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 15191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI1922EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |