на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1922EDH-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.3A, Pulsed drain current: 4A, Power dissipation: 0.8W, Case: SC70, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 198mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 2.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI1922EDH-T1-GE3 за ціною від 7.39 грн до 28.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 26121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 |
на замовлення 52974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI1922EDH-T1-GE3 |
|
на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 198mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 4A; 0.8W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 198mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |