Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1922EDH-T1-GE3
SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1922edh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.16 грн
6000+9.82 грн
9000+9.35 грн
15000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI1922EDH-T1-GE3 за ціною від 8.16 грн до 48.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
11+28.83 грн
100+18.51 грн
500+13.17 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1922edh.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 19971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay si1922edh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay si1922edh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.49 грн
11+28.83 грн
100+18.51 грн
500+13.17 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 19971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.