Продукція > VISHAY > SI1926DL-T1-BE3
SI1926DL-T1-BE3

SI1926DL-T1-BE3 Vishay

si1926dl.pdf Виробник: Vishay
MOSFET 60V N-CHANNEL DUAL
на замовлення 95955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.87 грн
17+ 18.44 грн
100+ 13.25 грн
500+ 11.4 грн
1000+ 9.28 грн
3000+ 7.82 грн
9000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-BE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363, tariffCode: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1926DL-T1-BE3 за ціною від 8.97 грн до 31.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.52 грн
13+ 21.67 грн
100+ 15.06 грн
500+ 11.04 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Виробник : VISHAY si1926dl.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.96 грн
28+ 26.76 грн
50+ 23.04 грн
100+ 18.64 грн
250+ 15.29 грн
500+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товар відсутній