Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix

si1926dl.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.33 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 510mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1926DL-T1-E3 за ціною від 7.96 грн до 41.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+26.58 грн
705+20.74 грн
711+20.56 грн
929+15.17 грн
1285+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.19 грн
30+26.58 грн
100+20.00 грн
250+18.36 грн
500+13.49 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.42 грн
14+22.95 грн
100+16.16 грн
500+12.22 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay Semiconductors si1926dl.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.78 грн
12+27.20 грн
100+16.44 грн
500+13.44 грн
1000+12.01 грн
3000+8.18 грн
6000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 VISHAY 2245721.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 VISHAY 2245721.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+26.58 грн
705+20.74 грн
711+20.56 грн
929+15.17 грн
1285+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+33.19 грн
30+26.58 грн
100+20.00 грн
250+18.36 грн
500+13.49 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.42 грн
14+22.95 грн
100+16.16 грн
500+12.22 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.78 грн
12+27.20 грн
100+16.44 грн
500+13.44 грн
1000+12.01 грн
3000+8.18 грн
6000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 2245721.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 2245721.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.