Продукція > VISHAY > SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 VISHAY

si1926dl.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 370
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4
Verlustleistung Pd: 510
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 510
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 370, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4, Verlustleistung Pd: 510, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 510, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI1926DL-T1-E3 за ціною від 7.57 грн до 27.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.02 грн
6000+ 8.24 грн
9000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1926dl.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 370
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4
Verlustleistung Pd: 510
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 510
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+22.43 грн
50+ 19.6 грн
100+ 16.69 грн
500+ 11.28 грн
1500+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 34
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 28681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
13+ 22 грн
100+ 15.31 грн
500+ 11.22 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si1926dl.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 44126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.9 грн
14+ 22.15 грн
100+ 15.28 грн
500+ 12.75 грн
6000+ 12.49 грн
9000+ 12.29 грн
24000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI1926DL-T1-E3 Виробник : VISHAY si1926dl.pdf SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній