Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Name: SI1926DL-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2441577-3
Price: 25920.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6

на замовлення 6940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.64 грн
6000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 510mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1926DL-T1-E3 за ціною від 8.05 грн до 43.04 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	20.20 грн
500+	11.08 грн
1500+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 1623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
550+	22.14 грн
705+	17.28 грн
711+	17.12 грн
929+	12.64 грн
1285+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 1623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	29.61 грн
30+	23.72 грн
100+	17.85 грн
250+	16.38 грн
500+	12.03 грн
1000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6

на замовлення 7441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	37.81 грн
14+	23.82 грн
100+	16.78 грн
500+	12.68 грн
1000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6

на замовлення 6037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	42.28 грн
13+	27.52 грн
100+	16.64 грн
500+	13.60 грн
1000+	12.16 грн
3000+	8.28 грн
6000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	43.04 грн
50+	27.87 грн
100+	19.35 грн
500+	14.88 грн
1500+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI1926DL-T1-E3

Виробник : VISHAY

SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.