Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1926dl.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 510mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1926DL-T1-GE3 за ціною від 8.92 грн до 47.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
481+26.72 грн
739+17.40 грн
747+17.21 грн
883+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.29 грн
26+28.63 грн
100+17.97 грн
250+16.46 грн
500+13.36 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.50 грн
13+22.96 грн
100+15.53 грн
500+11.38 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 SI1926DL-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1926dl.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 26156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.54 грн
11+28.87 грн
100+16.12 грн
500+12.28 грн
1000+10.98 грн
3000+9.40 грн
6000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-GE3 si1926dl.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.