Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1965DH-T1-BE3
SI1965DH-T1-BE3

SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix

SI1965DH.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI1965DH-T1-BE3 за ціною від 13.57 грн до 56.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1965DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+21.85 грн
500+15.63 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-T1-BE3 Vishay SI1965DH.pdf MOSFETs SOT363 2PCH 12V 1.14A
на замовлення 135182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+21.85 грн
500+15.63 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH.pdf
SI1965DH-T1-BE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT363 2PCH 12V 1.14A
на замовлення 135182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.